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簡要描述：GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。
產品型號：GaN 廠商性質：生產廠家更新時間：2025-02-11訪 問 量：3371詳細介紹
產品名稱： | 氮化鎵(GaN)晶體基片 | ||||||||||||||||
產品簡介： | GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。 | ||||||||||||||||
技術參數： |
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產品規(guī)格： | 晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 | ||||||||||||||||
標準包裝： | 1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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